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J-GLOBAL ID：200902211813882640   整理番号：07A1056327

二段階大気圧プラズマ増強蒸着-酸化過程を用いたSiO₂層の低温形成

Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process

著者 (5件)： KAKIUCHI Hiroaki (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...) ,  OHMI Hiromasa (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...) ,  HARADA Makoto (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...) ,  WATANABE Heiji (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...) ,  YASUTAKE Kiyoshi (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 91  号： 16  ページ： 161908-161908-3  発行年： 2007年10月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化けい素(SiO₂)層を,150MH...

シソーラス用語： プラズマCVD ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 段階 ,  大気圧プラズマ ,  増強 ,  蒸着 ,  酸化 ,  過程 ,  SiO2 ,  低温形成