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J-GLOBAL ID：200902297000146514   整理番号：09A1147284

水素プラズマ誘起化学輸送による冶金級Siからの純化Si膜形成

Purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport

著者 (6件)： OHMI Hiromasa (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...) ,  GOTO Akihiro (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...) ,  KAMADA Daiki (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...) ,  HAMAOKA Yoshinori (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...) ,  KAKIUCHI Hiroaki (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...) ,  YASUTAKE Kiyoshi (Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 18  ページ： 181506  発行年： 2009年11月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純化Si膜を亜大気圧における水素プラズマ誘起化学輸送によって,冶金級Si(MG-Si)から直接調製する。純化機構は,MG-Siにおけるいろいろな不純物元素の異なる水素化挙動に基づく。調製したSi膜は,MG-Siにおけるそれより少ない代表的金属不純物(Fe,Al,Ti,Cr,Mn,その他)を明らかに持った。特にFe濃度は一回の化学輸送によって,6900質量ppmから0.1質量ppm以下に激烈に低減した。更に金属不純物濃度は,繰り返す化学輸送堆積によって更に低減した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： プラズマ ,  水素 ,  化学輸送 ,  *ケイ素 ,  *薄膜成長 ,  純度 ,  調製 ,  不純物 ,  水素化 ,  鉄 ,  アルミニウム ,  チタン ,  クロム ,  マンガン ,  濃度 ,  薄膜形成

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素プラズマ ,  誘起 ,  化学輸送 ,  冶金 ,  Si ,  Si膜