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J-GLOBAL ID：201002233486533495   整理番号：10A0224658

大気圧以下の圧力での狭ギャップVHFプラズマを用いたSiに対するペルフルオロカーボン(PFC)フリードライエッチング法

PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure

著者 (4件)： OHMI Hiromasa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KISHIMOTO Kazuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAKIUCHI Hiroaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YASUTAKE Kiyoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 2  ページ： D85-D89  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い地球温暖化能を有するペルフルオロカーボン(PFC)のようなフッ素源を用いない新しいSiドライエッチング法を開発した。1気圧以下のO₂/He気体混合物の高周波数(VHF)グロープラズマにより安定な固体ポリ(テトラフルオロエチレン)(PTFE)からフッ素原子のようなエッチングガスを発生させる方法である。ステンレス鋼円柱電極をPTFEで被覆し,PTFE-Si間のプラズマギャップは数mm以下に固定した。プラズマとPTFEの化学反応により発生した気体生成物はFourier変換赤外分光法により同定した。純Heプラズマとの反応によって発生する気体のほとんどはペルフルオロカーボン(PFC)であったが,O₂/He混合物プラズマとの反応で生成する安定な気体生成物はCO₂とCOF₂であった。Siのエッチング速度は酸素分圧(P_O2)と入射電力(W_VHF)の両方,とくにP_O2,に強く依存した。これらの結果と発光スペクトルの解析から,酸素を加えることによりPFC(C_xF_y(x>1))生成が抑制され,F₂やCOF₂のようなエッチング化学種が増えることを示した。P_O2=40Torr,W_VHF=250WのときSiエッチング速度は27μm/minに達した。

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  *ドライエッチング ,  *ケイ素 ,  *フッ素 ,  *ポリテトラフルオロエチレン ,  ペルフルオロカーボン ,  プラズマ
準シソーラス用語： VHFプラズマ

分類 (3件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 大気圧 ,  ギャップ ,  VHFプラズマ ,  Si ,  ペルフルオロカーボン ,  PFC ,  ドライエッチング