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J-GLOBAL ID：201402204190417146   整理番号：14A0295915

MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs

High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Regrowth

著者 (12件)： 入沢寿史 (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  小田穣 (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  池田圭司 (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  守山佳彦 (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  三枝栄子 (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  JEVASUWAN W. (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  前田辰郎 (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  市川麿 (住友化学) ,  長田剛規 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  宮本恭幸 (東京工大) ,  手塚勉 (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 420(SDM2013 135-146)  ページ： 9-12  発行年： 2014年01月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： (111)B面をチャネルとする底辺30nmの三焦形状In_0.53Ga_0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に作製する事に成功した。三角形状チャネルは微細InGaAs-OI Fin構造にMOVPE成長を施す事で形成した。形成された(111)B面の移動度は,通常トライゲート素子比1.9倍,バルク(100)素子比1.6倍の値を示した。ノイズ特性やヒステリシス特性の結果から,この移動度増大は伝導帯中の界面準位低減とそれによるキャリアトラップの減少によりもたらされている事が示唆された。また,チャネル長300nmの素子において,930uA/um(@Vg=2.0V;V_d=0.5V)という高いオン電流が確認され,高性能・低消費電力CMOS応用へ向けた本素子の高い潜在能力が示された。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  インジウム ,  ガリウム ,  ヒ素 ,  ケイ素 ,  結晶方位 ,  *MOCVD ,  結晶成長 ,  *キャリア移動度 ,  電子 ,  表面準位 ,  絶縁膜 ,  ウエハ【IC】 ,  雑音特性 ,  ヒステリシス ,  伝導バンド ,  キャリア捕獲 ,  イオン電流 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  *nMOSFET

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOVPE ,  再成長 ,  高移動度 ,  三角形状 ,  InGaAs