半導体基板、半導体装置および半導体基板の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：龍華国際特許業務法人 , 林茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-042591
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199524
出願日： 2012年02月28日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：

【課題】十分な感度を有したp型キャリアのホール素子の製造に適した半導体基板を提供する。【解決手段】表面の全部または一部がシリコン結晶面であるベース基板と、前記ベース基板の上に位置し、前記シリコン結晶面に達する開口を有し、結晶の成長を阻害する阻害体と、前記開口の底部の前記シリコン結晶面の上に位置する第1結晶層と、前記第1結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第1金属層と、前記第1結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第2金属層と、を有し、前記一対の第1金属層のそれぞれを結ぶ第1最短線と、前記一対の第2金属層のそれぞれを結ぶ第2最短線とが、交わる関係、または、ねじれの位置関係にある半導体基板を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面の全部または一部がシリコン結晶面であるベース基板と、前記ベース基板の上に位置し、前記シリコン結晶面に達する開口を有し、結晶の成長を阻害する阻害体と、前記開口の底部の前記シリコン結晶面の上に位置する第1結晶層と、前記第1結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第1金属層と、前記第1結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第2金属層と、を有し、前記一対の第1金属層のそれぞれを結ぶ第1最短線と、前記一対の第2金属層のそれぞれを結ぶ第2最短線とが、交わる関係、または、ねじれの位置関係にある半導体基板。

IPC (9件)：

H01L 43/06 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 29/737 , H01L 21/331 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/092

FI (5件)：

H01L43/06 D , H01L29/80 H , H01L29/72 H , H01L27/06 102A , H01L27/08 321C

Fターム (38件)：

5F003BA92 , 5F003BE04 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BJ20 , 5F003BM01 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BZ02 , 5F003BZ03 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA14 , 5F048BA19 , 5F092AA01 , 5F092AB01 , 5F092AC02 , 5F092BA04 , 5F092BA06 , 5F092BA07 , 5F092BA08 , 5F092BA12 , 5F092BA13 , 5F092BA19 , 5F092BA23 , 5F092BA35 , 5F092BA37 , 5F092CA03 , 5F102GA17 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK02 , 5F102GL05 , 5F102GM06 , 5F102GQ01

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-319029 出願人：日本電装株式会社
統合されたオフセット制御を有するホール効果素子、およびゼロ・オフセットを低減するようにホール効果素子を動作する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-571905 出願人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-184322 出願人：旭化成工業株式会社

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