文献

J-GLOBAL ID：201002290468634016   整理番号：10A1127484

Al添加Zr金属膜を使ったZr-Al陽極酸化薄膜キャパシタの誘電特性

Dielectric Properties of Zr-Al Anodized Thin Film Capacitors Prepared Using Al-Doped Zr Alloy Films

著者 (6件)： KIMIZAKI Hidefumi (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  SHINKAI Satoko (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  SASAKI Katsutaka (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  YANAGISAWA Hideto (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  YAMANE Misao (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  ABE Yoshio (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 10  ページ： 101501.1-101501.5  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純粋Zr陽極酸化薄膜キャパシタの熱安定性と静電容量密度改善の為にAl添加Zr金属を使ったZr-Al陽極酸化薄膜キャパシタ誘電特性の研究を行った。Zr-Al陽極酸化膜のAl含有量は0から24at.%まで変化させた。Al含有量が17at.%に増えるとZr-Al陽極酸化キャパシタの容量密度が増す事が分かった。正方晶系ZrO_(2)相の成長と単斜晶系ZrO_(2)相の消滅によるが,純粋Zr陽極酸化膜は単斜晶系ZrO_(2)と正方晶系ZrO_(2)相の混合物である。Zr-Al(17at.%)陽極酸化膜の熱安定性は純粋Zr陽極酸化膜より優れている。Al添加による正方晶系ZrO_(2)の形成が要因と推測される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アノード酸化 ,  *酸化膜 ,  *コンデンサ ,  *誘電率 ,  X線回折 ,  *ジルコニウム合金 ,  アルミニウム含有合金 ,  *静電容量 ,  熱安定性 ,  係数 ,  *誘電損失 ,  損失係数 ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： 陽極酸化

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

引用文献 (24件)：

• G. D. Wilk, R. M. Wallance, and J. M. Anthony: J. Appi. Phys.89(2001)5243.
• R. M. Fleming, D. V. Lang, C. D. W. Jones, M. L. Steigerwald, D. W. Murphy, G. B. Alers, Y. H. Wong, R. B. van Dover, J. R. Kwo, and A. M. Sergent: J. Appl. Phys.88(2000)850.
• J. Y. Zhang and I. W. Boyd: Appl. Surf. Sci.186(2002)40.
• T. Onozuka, H. Sasaki, N. Mikuni, S. Shinkai, K. Sasaki, M. Yamane, and Y. Abe: Jpn. J. Appl. Phys.44(2005)6731.
• T. Shibata, H. Kimizaki, S. Shinkai, K. Sasaki, H. Yanagisawa, M.Yamane, and Y. Abe: Jpn. J. Appl. Phys.48(2009)085504.

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  Zr ,  金属膜 ,  陽極酸化 ,  薄膜キャパシタ ,  誘電特性