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J-GLOBAL ID：201002244397719854   整理番号：10A0467464

シリコンと直接接触の高k誘電体に関するケイ酸ランタンの界面および電気的性質

Interface and electrical properties of La-silicate for direct contact of high-k with silicon

著者 (12件)： KAKUSHIMA K. (Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  TACHI K. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  ADACHI M. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  OKAMOTO K. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  SATO S. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  SONG J. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  KAWANAGO T. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  AHMET P. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  TSUTSUI K. (Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  SUGII N. (Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  HATTORI T. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  IWAI H. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 7  ページ： 715-719  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La₂O₃/Si界面での構造遷移層として形成されるケイ酸ランタンの化学結合状態と電気的性質を調べた。SiO₂ベースの界面層を形成しないで,等価酸化膜厚(EOT)スケーリングに有利な構造的に退化したケイ酸ランタン層を形成して,高k誘電体とシリコン基板を直接接触させた。EOT0.48nmのトランジスタ動作を低温アニーリングによって実証したが,実効移動度(μ_eff)の低下を観測した。比較的低い界面状態密度(D_it)の10¹¹cm^-2/eVで高いμ_effである300cm²/Vsを500°Cアニーリングで達成でき,これはケイ酸/Si基板の非常に優れた界面特性を示すものとなった。移動度解析ではEOT1.2nm以下でのさらなるCoulomb散乱を示し,閾値および平坦バンド電圧における負のシフトと良く一致した。その上,EOTの低下の一方でD_itとサブ閾値スロープでの上昇を観測したことは,ゲート電極から拡散した金属原子の影響を示すものであった。金属誘起欠陥生成を使って移動度劣化モデルを提案した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *誘電体 ,  *ケイ酸塩 ,  界面 ,  電気的性質 ,  化学結合 ,  膜厚 ,  状態密度 ,  移動度 ,  Coulomb散乱 ,  閾値 ,  X線光電子分光法 ,  酸化ランタン
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  *高k誘電体 ,  等価酸化膜厚 ,  *Laケイ酸塩

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  直接接触 ,  高k誘電体 ,  ケイ酸ランタン ,  界面 ,  電気的性質