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J-GLOBAL ID：201902221612075002   整理番号：19A2640042

シリコン表面における三塩化ホウ素ガスの堆積とエッチング挙動【JST・京大機械翻訳】

Deposition and etching behaviour of boron trichloride gas at silicon surface

著者 (4件)： Muroi Mitsuko (Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Yamada Ayami (Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Saito Ayumi (Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Habuka Hitoshi (Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 529  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三塩化ホウ素ガスによるシリコン表面での蒸着とエッチングを,化学蒸着反応器を用いて広い温度範囲で概観した。800°Cより低い温度では,シリコン表面はホウ素で覆われたが,形成された膜厚は無視できた。900°Cでは,ホウ素堆積速度は0.25μm min-1に増加した。900~1000°Cの温度範囲では,ホウ素膜形成はかなり大きかった。対照的に,1100°Cでは,シリコン表面は0.36μm min-1でエッチングされた。1050°Cより高い温度では,エッチングはクロロシランの生成と共に起こったが,エッチング後のシリコン表面は依然としてホウ素で覆われていた。ホウ素堆積とシリコンエッチングは,三塩化ホウ素ガスにより高温で同時に起こる可能性がある。表面温度を800°Cに調節することにより,ジクロロシランと三塩化ホウ素の混合ガスを用いて,ホウ素とケイ素の同時蒸着が可能であった。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ホウ素 ,  高温 ,  同時蒸着 ,  *塩化ホウ素 ,  反応器 ,  化学蒸着 ,  *ケイ素 ,  堆積速度 ,  *エッチング ,  混合気体 ,  膜厚 ,  ドーピング
準シソーラス用語： ジクロロシラン ,  クロロシラン ,  温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1 ドーピング ,  A1 エッチング ,  A1 表面プロセス ,  A3 化学蒸着プロセス ,  B1 元素固体 ,  B2 半導体シリコン

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  塩化ホウ素 ,  堆積 ,  エッチング ,  挙動