研究者
J-GLOBAL ID:200901062820754895
更新日: 2020年05月09日
友景 肇
トモカゲ ハジメ | Tomokage Hajime
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論文 (15件):
Kazuma Yagyu, Takayuki Tajiri, Atsushi Kohno, Kazutoshi Takahashi, Hiroshi Tochihara, Hajime Tomokage, Takayuki Suzuki. Fabrication of a single layer graphene by copper intercalation on a SiC(0001) surface. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2014. 104. 5. 053115
M Yoshida, Y Kamiura, R Tsuruno, M Takahashi, H Tomokage. Application of one-bond-type migration to interstitialcy-type self-interstitial and phosphorus in silicon. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2000. 210. 1-3. 128-131
Effective diffusion coefficient and controlling process of P diffusion in Si based on the pair diffusion models of vacancy and interstitial mechanisms. M. Yoshida, M. Morooka, M. Takahashi and H. Tomokage Jpn. J. Appl. Phys.,. 2000. 39. 2483-2491
Electron beam induced current on beryllium-doped cubic boron nitride single crystal. H. Tomokage, N. Nomura, T. Taniguchi and T. Ando Diamond Relat. Mater.,. 2000. 9. 605
Characterization of boron doped polycrystalline CVD diamond by ultra high vacuum scanning tunneling microscopy. Y. Kim, W. Choi, H. Wakimoto, S. Usami, H. Tomokage, T. Ando Diamond Relat. Mater.,. 2000. 9. 1096
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講演・口頭発表等 (5件):
Cu intercalation under an graphene grown on SiC(0001) surface
(12TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON BEAM INJECTION ASSESSMENT OF MICROSTRUCTURES IN SEMICONDUCTORS - BIAMS 12 2014)
SiC上エピタキシャルグラフェンに対する銅のインターカレーション
(日本物理学会 第69回年次大会 2014)
Cu intercalation to graphene sheets grown on SiC(0001)
(15th International Conference on Solid Surfaces ICSS-15 2013)
SiC基板上に成長したグラフェンへの銅蒸着
(平成25年度九州表面・真空研究会2013(兼第18回九州薄膜表面研究会) 2013)
SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのCu蒸着2
(日本物理学会 第68回年次大会 2013)
学歴 (2件):
- 1982 九州大学 工学研究科 電気工学
- 1977 九州大学 工学部 電気工学
学位 (1件):
工学博士
経歴 (1件):
福岡大学 工学部電子情報工学科 教授
所属学会 (4件):
Materials Research Society
, American Institute of Physics
, 電子情報通信学会
, 応用物理学会
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