文献
J-GLOBAL ID：200902190195468023   整理番号：00A0437409

Application of one-bond-type migration to interstitialcy-type self-interstitial and phosphorus in silicon.

著者 (5件)：
YOSHIDA M

YOSHIDA M について

(Yoshida Semiconductor Lab., Fukuoka, JPN)

Yoshida Semiconductor Lab., Fukuoka, JPN について

, 
KAMIURA Y

KAMIURA Y について

(Okayama Univ., Okayama, JPN)

Okayama Univ., Okayama, JPN について

, 
TSURUNO R

TSURUNO R について

(Kyushu Inst. Design, Fukuoka, JPN)

Kyushu Inst. Design, Fukuoka, JPN について

, 
TAKAHASHI M

TAKAHASHI M について

(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)

Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN について

, 
TOMOKAGE H

TOMOKAGE H について

(Fukuoka Univ., Fukuoka, JPN)

Fukuoka Univ., Fukuoka, JPN について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 210  号： 1/3  ページ： 128-131  発行年： 2000年03月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

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