研究者
J-GLOBAL ID:200901064159474190
更新日: 2020年05月02日
川口 真生
カワグチ マサオ | Kawaguchi Masao
所属機関・部署:
旧所属 東京工業大学 総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻
旧所属 東京工業大学 総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻 について
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職名:
大学院学生(博士課程)
研究キーワード (2件):
電子工学一般
, Electric engineering in general
競争的資金等の研究課題 (2件):
2001 - 2004 GaInNAsレーザの有機金属気相成長
2001 - 2004 MOCVD growth of GaInNAs lasers
MISC (10件):
M Kawaguchi, T Miyamoto, E Gouardes, T Kondo, F Koyama, K Iga. Photoluminescence dependence on heterointerface for metalorganic chemical vapor deposition grown GaInNAs/GaAs quantum wells. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2002. 80. 6. 962-964
M Kawaguchi, T Miyamoto, E Gouardes, S Minobe, T Kondo, F Koyama, K Iga. Photoluminescence and lasing characteristics of GaInNAs quantum wells using GaInAs intermediate layers. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 2B. 1034-1039
M Kawaguchi, T Miyamoto, E Gouardes, T Kondo, F Koyama, K Iga. Photoluminescence dependence on heterointerface for metalorganic chemical vapor deposition grown GaInNAs/GaAs quantum wells. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2002. 80. 6. 962-964
M Kawaguchi, T Miyamoto, E Gouardes, S Minobe, T Kondo, F Koyama, K Iga. Photoluminescence and lasing characteristics of GaInNAs quantum wells using GaInAs intermediate layers. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 2B. 1034-1039
KAWAGUCHI M, MIYAMOTO T, GOUARDES E, SCHLENKER D, KONDO T, KOYAMA F, IGA K. Lasing Characteristics of Low Threshold GaInNAs Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 2001. 40. 7B. L744-L746
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学歴 (4件):
- 2001 東京工業大学 総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻
- 2001 東京工業大学
- 1999 信州大学 工学部 電機電子工学科
- 1999 信州大学
学位 (1件):
工学修士 (東京工業大学)
受賞 (2件):
2000 - IEEE Japan Student Chapter Award
2000 - IEEE Japan Student Chapter Award
所属学会 (5件):
IEEE(電気電子学会)
, 応用物理学会
, Inc.
, The Institute of Electrical and Electronics Engineers
, The Japan society of applied physics
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