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J-GLOBAL ID：200902193999185180   整理番号：01A0728456

有機金属化学蒸着法で成長させた低しきい値GaInNAsレーザのレーザ発振特性

Lasing Characteristics of Low-Threshold GaInNAs Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

著者 (7件)： KAWAGUCHI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  GOUARDES E (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SCHLENKER D (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 7B  ページ： L744-L746  発行年： 2001年07月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のGaInNAs二重量子井戸(DQW)GaInNAsレー...

シソーラス用語： *半導体レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (17件)：

• 1) M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki and Y. Yazawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1273.
• 2) K. Iga: IPRM'96, ThA1-1 (1996).
• 3) D. A. Livshifts, A. Yu. Egorov and H. Riechert: Electron. Lett. 36 (2000) 1381.
• 4) M. Kawaguchi, T. Miyamoto, E. Gouardes, D. Schlenker, T. Kondo, F. Koyama and K. Iga: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1219.
• 5) M. Kawaguchi, E. Gouardes, D. Schlenker, T. Kondo, T. Miyamoto, F. Koyama and K. Iga: Electron. Lett. 36 (2000) 1776.

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属化学蒸着法 ,  成長 ,  しきい値 ,  GaInNAs ,  レーザ ,  発振特性