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J-GLOBAL ID:200902144399559034   整理番号:02A0501590

GaInAs中間層を使ったGaInNAs量子井戸の光ルミネセンスとレーザ発振特性

Indium Phosphide & Related Materials. Photoluminescence and Lasing Characteristics of GaInNAs Quantum Wells Using GaInAs Intermediate Layers.
著者 (7件):
資料名:
巻: 41  号: 2B  ページ: 1034-1039  発行年: 2002年02月28日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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GaInAs中間層(IML)をGaInNAs/GaAsヘテロ...
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分類 (2件):
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半導体レーザ  ,  半導体のルミネセンス 

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