文献

J-GLOBAL ID：200902144399559034   整理番号：02A0501590

GaInAs中間層を使ったGaInNAs量子井戸の光ルミネセンスとレーザ発振特性

Indium Phosphide & Related Materials. Photoluminescence and Lasing Characteristics of GaInNAs Quantum Wells Using GaInAs Intermediate Layers.

著者 (7件)： KAWAGUCHI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  GOUARDES E (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  MINOBE S (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 2B  ページ： 1034-1039  発行年： 2002年02月28日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaInAs中間層(IML)をGaInNAs/GaAsヘテロ...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0501590&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (29件)：

• 1) M. Weyers, M. Sato and H. Ando: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L853.
• 2) M. Weyer and M. Sato: Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 1396.
• 3) M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki and Y. Yazawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1273.
• 4) S. Sakai and T. Abe: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 4413.
• 5) K. Iga: Indium Phosphide and Related Materials, ThA1-1 (1996).

タイトルに関連する用語 (7件)： GaInAs ,  中間層 ,  GaInNAs ,  量子井戸 ,  光ルミネセンス ,  レーザ ,  発振特性