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J-GLOBAL ID：200902159094641960   整理番号：02A0225968

有機金属化学蒸着成長GaInNAs/GaAs量子井戸のためのヘテロ界面に対する光ルミネセンスの依存性

Photoluminescence dependence on heterointerface for metalorganic chemical vapor deposition grown GaInNAs/GaAs quantum wells.

著者 (6件)： KAWAGUCHI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  GOUARDES E (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 6  ページ： 962-964  発行年： 2002年02月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着(MOCVD)で成長させたGaInNAs/G...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  GaInNAs ,  GaAs ,  量子井戸 ,  ヘテロ界面 ,  光ルミネセンス ,  依存性