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J-GLOBAL ID：200902296281418252   整理番号：09A0372042

中性ビーム促進化学蒸着による超低k SiOC膜(k=2.2)を形成する構造設計法

Structure-designable method to form super low-k SiOC film (k = 2.2) by neutral-beam-enhanced chemical vapour deposition

著者 (10件)： YASUHARA Shigeo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHUNG Juhyun (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAJIMA Kunitoshi (Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama, JPN) ,  YANO Hisashi (Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama, JPN) ,  KADOMURA Shingo (Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama, JPN) ,  YOSHIMARU Masaki (Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama, JPN) ,  MATSUNAGA Noriaki (Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama, JPN) ,  KUBOTA Tomohiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHTAKE Hiroto (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 42  号： 5  ページ： 055208,1-7  発行年： 2009年03月07日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中性ビーム促進化学蒸着法に基づいて,先行体構造を最適化することにより,SiOとSi(CH₃)_xの比,2次元と3次元Si-O構造の比,およびSiOC低誘電率膜中のSi-(CH₃)₂とSi-CH₃の比を制御しながら,SiOC膜の形成に成功した。これは基板に吸着した非分解性先行体の非反応性中性ビーム衝撃に基づく,表面励起膜形成に由来すると推論した。この方法により,十分な係数値と低誘電率(2.2)を同時に実現した。さらに,荷電粒子や紫外光子を利用しないため,多層堆積応用でも損傷が少ない利点がある。

シソーラス用語： 中性粒子ビーム ,  *ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  炭化物 ,  *化学蒸着 ,  誘電率 ,  酸化ケイ素 ,  *誘電体薄膜 ,  ビーム
準シソーラス用語： 中性ビーム

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中性ビーム ,  促進 ,  化学蒸着 ,  設計法