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J-GLOBAL ID：200902229247408737   整理番号：07A1233196

SiO2エッチングプロセス中における高アスペクト比コンタクトホールにおける電荷蓄積及び側壁伝導率のオンウエハモニタリング

On-wafer monitoring of charge accumulation and sidewall conductivity in high-aspect-ratio contact holes during SiO2 etching process
著者 (9件)：
JINNAI Butsurin

JINNAI Butsurin について

(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)

Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN について

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ORITA Toshiyuki

ORITA Toshiyuki について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)

Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN について

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KONISHI Mamoru

KONISHI Mamoru について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)

Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN について

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HASHIMOTO Jun

HASHIMOTO Jun について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)

Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN について

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ICHIHASHI Yoshinari

ICHIHASHI Yoshinari について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)

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NISHITANI Akito

NISHITANI Akito について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)

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KADOMURA Shingo

KADOMURA Shingo について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)

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OHTAKE Hiroto

OHTAKE Hiroto について

(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)

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SAMUKAWA Seiji

SAMUKAWA Seiji について

(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)

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資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures について


巻： 25  号： 6  ページ： 1808  発行年： 2007年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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半導体素子に関する従来の作製プロセスを用いて直径8インチのS...
シソーラス用語：
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*コンタクトホール

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*フルオロカーボン

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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

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(BJ02110K)

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物質索引 (1件)：
物質索引
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オクタフルオロシクロブタン

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タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
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SiO2

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エッチングプロセス

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高アスペクト比

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コンタクトホール

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電荷蓄積

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側壁

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伝導率

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