微斜面サファイヤ(0001)基板上に成長したAlN膜における貫通転位の消滅機構に関する透過電子顕微鏡法を用いた研究

SHEN X. Q.; OKUMURA H.; MATSUHATA H.

文献

J-GLOBAL ID：200902283838042477 整理番号：05A0880603

微斜面サファイヤ(0001)基板上に成長したAlN膜における貫通転位の消滅機構に関する透過電子顕微鏡法を用いた研究

Studies of the annihilation mechanism of threading dislocation in AlN films grown on vicinal sapphire (0001) substrates using transmission electron microscopy

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巻： 87 号： 10 ページ： 101910.1-101910.3 発行年： 2005年09月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

AlN膜における貫通転位の消滅機構を調べた。断面と面視観察か...

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半導体薄膜 , 半導体の格子欠陥

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