サファイア(0001)微斜面基板上に成長させたGaN薄膜における貫通転位密度の減少

SHEN X Q; MATSUHATA H; OKUMURA H

文献

J-GLOBAL ID：200902292791446018 整理番号：05A0131449

サファイア(0001)微斜面基板上に成長させたGaN薄膜における貫通転位密度の減少

Reduction of the threading dislocation density in GaN films grown on vicinal sapphire (0001) substrates

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巻： 86 号： 2 ページ： 021912.1-021912.3 発行年： 2005年01月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

格子不整合基板上に成長させたIII族窒化物に発生する貫通転位...

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半導体薄膜 , 半導体の格子欠陥

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