文献

J-GLOBAL ID：200902138852871168   整理番号：01A0733952

サブ0.25μm設計則に利用できるZrN/Zr二重層障壁薄膜を挿入した単一配向(111)Al被膜層を用いた接触系の作製

Preparation of a Contact System with a Single-Oriented (111)Al Overlayer by Interposing a Thin ZrN/Zr Bilayered Barrier Applicable to Sub-0.25-μm Design Rule.

著者 (5件)： MIYAKE H (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  YANAGISAWA H (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  SASAKI K (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  SHINKAI S (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  ABE Y (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 6A  ページ： 4193-4194  発行年： 2001年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題薄膜(111)Au/(111)ZrN/Zrの単一配向成長...

シソーラス用語： *ポテンシャル障壁 ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (7件)：

• 1) S. Zaima and Y. Yasuda: Oyo Buturi 63 (1994) 1093 [in Japanese].
• 2) H. Yanagisawa, K. Sasaki, H. Miyake and Y. Abe: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 5987.
• 3) H. Yanagisawa, K. Sasaki, H. Miyake and Y. Abe: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 4110.
• 4) A. Zur and T. C. McGill: J. Appl. Phys. 55 (1984) 378.
• 5) S. Vaidya and A. K. Sinha: Thin Solid Films 75 (1981) 253.

タイトルに関連する用語 (10件)： サブ ,  設計 ,  Zr ,  二重層 ,  障壁 ,  薄膜 ,  配向 ,  Al ,  被膜層 ,  作製