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J-GLOBAL ID：200902183811700532   整理番号：01A0772417

Cu-Zr膜のアニーリングによるSiO₂上のCu(111)単一配向状態の実現とCu-Zr/ZrN/Zr/Si接触系の熱安定性

Realization of Cu(111) Single-Oriented State on SiO₂ by Annealing Cu-Zr Film and the Thermal Stability of Cu-Zr/ZrN/Zr/Si Contact System.

著者 (5件)： SASAKI K (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  MIYAKE H (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  SHINKAI S (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  ABE Y (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  YANAGISAWA H (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 7  ページ： 4661-4665  発行年： 2001年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： すぐれたエレクトロマイグレーション抵抗をもつCu(111)単...

シソーラス用語： *銅合金 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• 1) A. M. Brown and M. F. Ashby: Acta Metall. 28 (1980) 1085.
• 2) C. W. Park and R. W. Vook: Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 175.
• 3) T. Nitta, T. Ohmi, S. Sakai, K. Sakaibara, S. Imai and T. Shibata: J. Electrochem. Soc. 140 (1993) 1131.
• 4) C. Ryu, A. L. S. Loke, T. Nogami and S. Wong: Int. Reliability Physics Symp., Denver (IEEE, New York, 1997) p. 201.
• 5) K. Abe, Y. Harada and H. Onoda: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>17</B> (1999) 1464.

タイトルに関連する用語 (7件)： Cu ,  Zr ,  アニーリング ,  SiO2 ,  配向 ,  Si ,  熱安定性