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J-GLOBAL ID：200902283643148939   整理番号：03A0184108

液相エピタクシー(LPE)法を使った大きいGaN単結晶の成長

Growth of a Large GaN Single Crystal Using the Liquid Phase Epitaxy(LPE) Technique.

著者 (7件)： KAWAMURA F (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  IWAHASHI T (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  OMAE K (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  MORISHITA M (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  YOSHIMURA M (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  MORI Y (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  SASAKI T (Osaka Univ., Suita, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 1A/B  ページ： L4-L6  発行年： 2003年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Naフラックスを使う液相エピタクシー(LPE)法により,12...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (12件)：

• 1) A. Sakai, H. Sunakawa and A. Usui: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2259.
• 2) I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 98 (1989) 209.
• 3) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: J. Appl. Phys. 71 (1992) 5543.
• 4) D. Elwell and H. J. Scheel: Crystal Growth from High Temperature Solution (Academic Press, New York, 1975).
• 5) J. Karpinski, J. Jun and S. Porowski: J. Cryst. Growth 66 (1989) 1.

タイトルに関連する用語 (4件)： 液相エピタクシー ,  法 ,  GaN ,  単結晶の成長