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J-GLOBAL ID：200902001312848838   整理番号：89A0410192

Co-sputter法によるa-Si_xC_yAl_z:H薄膜の作製と特性

Preparation and properties of Co-sputtered amorphous Si_xC_yAl_z:H films.

著者 (5件)： 冨岡雄吾 (静岡大 電子工研) ,  斎藤順雄 (静岡大 電子工研) ,  山口十六夫 (静岡大 電子工研) ,  中西洋一郎 (静岡大 電子工研) ,  河村和彦 (新日本製鉄 第一技研)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 32  号： 3  ページ： 327-330  発行年： 1989年03月 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 基礎的な物性に関する興味からa-SiC:HへのAlの添加を試...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 同時蒸着法

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (6件)：

• 1) 斎藤順雄, 田中孝彦, 山田武志, 仲秋 勇, 山口十六夫 : 真空, 29 (1986) 251.
• 2) 斎藤順雄 : 真空, 30 (1987) 69.
• 3) H. S. Fortuna, J. M. Marshall : Philos. Mag. B, 53 (1986) 383.
• 4) G. Lucovsky : Solid State Comun. 29 (1979) 571.
• 5) L.Paulling : The Natuer of Chemical Bond (Cornell university, New York, 1960) (小泉正夫訳 : 化学結合論, 共立, 東京, 1962, p.80).

タイトルに関連する用語 (3件)： CO ,  薄膜 ,  作製