文献
J-GLOBAL ID:200902010045645158
整理番号:91A0059087
MBE法による段差基板上の共鳴トンネルダイオード
Resonant tunneling diodes on channeled substrates by MBE growth.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0059087&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}