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J-GLOBAL ID：200902059297214078   整理番号：89A0511074

低圧化学蒸着とプラズマ促進化学蒸着法で作製した窒化けい素膜中の水素の安定性

Stability of hydrogen in silicon nitride films deposited by low-pressure and plasma enhanced chemical vapor deposition techniques.

著者 (4件)： XIE J Z (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  MURARKA S P (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  GUO X S (State Univ. New York at Albany, NY, USA) ,  LANFORD W A (State Univ. New York at Albany, NY, USA)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 7  号： 2  ページ： 150-152  発行年： 1989年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LPCVDとPECVDでSi₃N<su...

シソーラス用語： LPCVD ,...
準シソーラス用語： PECVD ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低圧化学蒸着 ,  プラズマ促進化学蒸着 ,  作製 ,  窒化 ,  けい素膜 ,  水素 ,  安定性