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J-GLOBAL ID：200902063704195994   整理番号：87A0046101

プラズマ増強がある場合とない場合の減圧化学気相成長法による多結晶シリコン膜の構造的及び電気的性質

Structural and electrical properties of polycrystalline silicon films deposited by low pressure chemical vapor deposition with and without plasma enhancement.

著者 (3件)： HAJJAR J-J J (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  REIF R (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  ADLER D (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 15  号： 5  ページ： 279-285  発行年： 1986年09月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板温度条件はプラズマ増強のある場合は500~800°C,な...

シソーラス用語： LPCVD ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  増強 ,  減圧 ,  化学気相成長法 ,  多結晶シリコン膜 ,  電気的性質