三ふっ化塩素によるシリコンのプラズマなしのエッチング

SAITO Y; YAMAOKA O; YOSHIDA A

文献

J-GLOBAL ID：200902095489916439 整理番号：91A0950184

三ふっ化塩素によるシリコンのプラズマなしのエッチング

Plasmaless etching of silicon using chlorine trifluoride.

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巻： 9 号： 5 ページ： 2503-2506 発行年： 1991年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

-20~120°Cの基板温度での標記エッチングを調べた。エッチ...

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試料技術 , 固体デバイス製造技術一般

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