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J-GLOBAL ID：200902101075625513   整理番号：96A0353813

サブクォータミクロンpMOSの構造をもつ埋込みチャネルMOSキャパシタの容量電圧特性

Capacitance-Voltage Characteristics of Buried-Channel MOS Capacitors with a Structure of Subquarter-Micron pMOS.

著者 (2件)： MIYAKE M (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Atsugi-shi, JPN) ,  OKAZAKI Y (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Atsugi-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E79-C  号： 3  ページ： 430-436  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過渡挙動に重点をおいて,高周波の標記容量電圧特性を測定し解析...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： MOSキャパシタ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• CHAM, K. M. Device design for the submicrometer p-channel FET with n^+ polysilicon gate. IEEE Trans. Electron Devices. 1984, ED-31, 964
• SCHMITZ, A. E. Design, modeling and fabrication of subhalf-micrometer CMOS transistors. IEEE Trans. Electron Devices. 1986, ED-33, 148
• MIYAKE, M. Subquartermicrometer get-length p-channel and n-channel MOSFETs with extremely shallow source-drain junctions. IEEE Trans. Electron Devices. 1989, 36, 392
• OKAZAKI, Y. High-performance subquarter-micrometer gate CMOS technology. IEEE Electron Device Lett. 1990, 11, 134
• MIYAKE, M. Sub-quarter-micrometer gate-length p-channel MOSFETs with shallow boron counter-doped layer fabricated using channel preamorphization. IEEE Trans. Electron Devices. 1990, 37, 2007

タイトルに関連する用語 (5件)： PMOS ,  埋込み ,  チャネル ,  MOSキャパシタ ,  容量電圧特性