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J-GLOBAL ID：200902101917745032   整理番号：01A1009097

ゾル-ゲル堆積後の水熱処理による低温400°以下でのPb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃薄膜の作製

Preparation of Pb(Zr_0.52TiO_0.48)O₃ Thin Films at Low-Temperature of Less than 400°C by Hydrothermal Treatment Following Sol-Gel Deposition.

著者 (3件)： WEI Z (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMASHITA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKUYAMA M (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 9B  ページ： 5539-5542  発行年： 2001年09月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記による低温結晶化法を検討した。Pt/Ti/SiO<sub...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (7件)：

• 1) K. A. Vorotilov, M. I. Yanovskaya and I. E. Obvinzeva: Microelectron. Eng. 29 (1995) 41.
• 2) A. L. Kholkin, E. L. Coola, A. K. Tagantsev and N. Setter: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 2577.
• 3) Z. Wei, H. Xu, K. Yamashita and M. Okuyama: The 4th Int. Conf. on Thin Films Physics and Applications, Shanghai, May 2000.
• 4) Z. Wei, H. Xu, K. Yamashita and M. Okuyama: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 4217.
• 5) W. Xu, L. Zheng, C. Lin and M. Okuyama: Integr. Ferroelectr. 12 (1996) 233.

タイトルに関連する用語 (8件)： ゾル-ゲル ,  堆積 ,  水熱処理 ,  低温 ,  Pb ,  O3 ,  薄膜 ,  作製