文献

J-GLOBAL ID：200902101947108193   整理番号：98A0419905

RFプラズマ促進化学蒸着法による酸化インジウムすず/ガラス基板上のGaNの成長

Growth of GaN on Indium Tin Oxide/Glass Substrates by RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method.

著者 (4件)： PARK D-C (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KO H-C (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA SHIZ (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA SHIG (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 3A  ページ： L294-L296  発行年： 1998年03月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN薄膜を低基板温度(500°C)で標記方法により成長させた...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： ITO【固溶体】

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (9件)：

• 1) I. Akasaki and H. Amano: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242 (1992) 383.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332
• 3) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagamaha, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74
• 4) K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L661
• 5) K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, A. Ishida, R. Kuroiwa, H. Tampo and S. Gonda: Proc. 2^nd Int. Conf. Nitride Semiconductors, Tokushima (1997) p. 196.

タイトルに関連する用語 (7件)： RFプラズマ ,  促進 ,  化学蒸着法 ,  酸化インジウムすず ,  ガラス基板 ,  GaN ,  成長