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J-GLOBAL ID:200902102263621050   整理番号:99A0892673

その場アニールによるSi(001)-2×1上のエピタキシャルSrTiO3膜の電気的性質の改善

Improvement of electrical properties of epitaxial SrTiO3 films on Si(001)-2×1 by in situ annealing.
著者 (4件):
資料名:
巻: 86  号:ページ: 3213-3217  発行年: 1999年09月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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MBE成長によりSi基板上にSrOバッファ層(100Å)を介...
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酸化物薄膜 
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