その場アニールによるSi(001)-2×1上のエピタキシャルSrTiO<sub>3</sub>膜の電気的性質の改善

TAMBO T; MAEDA K; SHIMIZU A; TATSUYAMA C

文献

J-GLOBAL ID：200902102263621050 整理番号：99A0892673

その場アニールによるSi(001)-2×1上のエピタキシャルSrTiO₃膜の電気的性質の改善

Improvement of electrical properties of epitaxial SrTiO₃ films on Si(001)-2×1 by in situ annealing.

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巻： 86 号： 6 ページ： 3213-3217 発行年： 1999年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MBE成長によりSi基板上にSrOバッファ層(100Å)を介...

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酸化物薄膜

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その場アニールによるSi(001)-2×1上のエピタキシャルSrTiO3膜の電気的性質の改善

その場アニールによるSi(001)-2×1上のエピタキシャルSrTiO₃膜の電気的性質の改善