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J-GLOBAL ID：200902102649881781   整理番号：00A0812131

Pt/SiO₂/Si基板上のPb(Zr_xTi_1-x)O₃薄膜の強誘電体特性の配向依存性

Orientation dependence of ferroelectric properties of Pb(Zr_xTi_1-x)O₃ thin films on Pt/SiO₂/Si substrates.

著者 (6件)： FUJITA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IMADE M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKASHITA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKAI A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 159/160  ページ： 134-137  発行年： 2000年06月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pb(Zr_xTi<sub>1-x</s...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (9件)： PT ,  SiO2 ,  Si基板 ,  Pb ,  O3 ,  薄膜 ,  強誘電体 ,  配向 ,  依存性