高信頼性p型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の原子層堆積した窒化けい素/SiO<sub>2</sub>積層ゲート誘電体の特性評価

NAKAJIMA A; YOSHIMOTO T; KIDERA T; OBATA K; YOKOYAMA S; SUNAMI H; HIROSE M

文献

J-GLOBAL ID：200902103338212335 整理番号：01A0872944

高信頼性p型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の原子層堆積した窒化けい素/SiO₂積層ゲート誘電体の特性評価

Characterization of atomic-layer-deposited silicon nitride/SiO₂ stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

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資料名：
巻： 19 号： 4 ページ： 1138-1143 発行年： 2001年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

約0.4nmの窒化けい素層を原子層堆積(ALD)法で熱成長し...

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金属-絶縁体-半導体構造 , その他の無機化合物の薄膜

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高信頼性p型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の原子層堆積した窒化けい素/SiO2積層ゲート誘電体の特性評価

高信頼性p型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の原子層堆積した窒化けい素/SiO₂積層ゲート誘電体の特性評価