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J-GLOBAL ID：200902103380327290   整理番号：00A0283083

ウルツ鉱型の歪GaInP/GaNヘテロ構造および量子井戸における圧電効果の方位依存性の理論的研究

Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells.

著者 (3件)： TAKEUCHI T (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO H (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI I (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 2A  ページ： 413-416  発行年： 2000年02月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 理論計算の結果としてGaNの上にコヒーレントに成長させた(0...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (24件)：

• 1) I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike and H. Amano: Electron. Lett. 32 (1996) 1105.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74.
• 3) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
• 4) A. D. Bykhovski, V. V. Kaminski, M. S. Shur, Q. C. Chen and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 818.
• 5) F. Bernardini, V. Fiorentini and D. Vanderbilt: Phys. Rev. B 56 (1997) R10024.

タイトルに関連する用語 (10件)： ウルツ鉱 ,  歪 ,  GaInP ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  量子井戸 ,  圧電効果 ,  方位依存性 ,  理論 ,  研究