Siゲート付MOS構造陰極からのトンネル放出電子のエネルギー分布

YOKOO K; SATO S; KOSHITA G; AMANO I; MUROTA J; ONO S

文献

J-GLOBAL ID：200902105008260859 整理番号：94A0461335

Siゲート付MOS構造陰極からのトンネル放出電子のエネルギー分布

Energy distribution of tunneling emission from Si-gate metal-oxide-semiconductor cathode.

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Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

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巻： 12 号： 2 ページ： 801-805 発行年： 1994年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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