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J-GLOBAL ID:200902105008260859   整理番号:94A0461335

Siゲート付MOS構造陰極からのトンネル放出電子のエネルギー分布

Energy distribution of tunneling emission from Si-gate metal-oxide-semiconductor cathode.
著者 (6件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 801-805  発行年: 1994年03月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 1071-1023  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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標記陰極を作製し,その放出特性を調べた。Siゲートにその仕事...
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分類 (3件):
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その他の固体デバイス  ,  熱電子放出,電界放出  ,  電子源,イオン源 

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