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J-GLOBAL ID：200902107895490386   整理番号：01A0106989

縦型ホットウォールCVDによるSiCエピタキシャル成長

SiC Epitaxial Growth by Vertical Hot-Wall Type Chemical Vapor Deposition.

著者 (2件)： 高橋邦方 (松下電器産業 先端技研) ,  北畠真 (松下電器産業 先端技研)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 21  号： 12  ページ： 771-777  発行年： 2000年12月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標記のエピタキシャル成長について検討した。成長温度を1700...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• 1) 木本恒暢, 松波弘之 : 応用物理 64, 691 (1995).
• 2) H. Matsunami and T. Kimoto: Mat. Sci. Eng. R 20, 125 (1997).
• 3) S. Yoshida, K. Sasaki, S. Misawa and S. Gonda: Appl. Phys. Lett. 46, 766 (1985).
• 4) M. Uchida and M. Kitabatake: Thin Solid Films 335, 32 (1998).
• 5) 金谷正敏, 大谷 昇, 高橋 淳, 西川 猛, 勝野正和 : 応用物理 64, 642 (1995).

タイトルに関連する用語 (4件)： 縦型 ,  ホットウォールCVD ,  SiC ,  エピタキシャル成長