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J-GLOBAL ID：200902108636094533   整理番号：01A0078761

1μmの厚みを越えるSi(111)上の亀裂のないGaNの有機金属化学気相エピタクシー

Metalorganic Chemical Vapor Phase Epitaxy of Crack-Free GaN on Si (111) Exceeding 1 μm in Thickness.

著者 (6件)： DADGAR A (Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU) ,  BLAESING J (Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU) ,  DIEZ A (Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU) ,  ALAM A (AIXTRON AG, Aachen, DEU) ,  HEUKEN M (AIXTRON AG, Aachen, DEU) ,  KROST A (Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 11B  ページ： L1183-L1185  発行年： 2000年11月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)上に成長したGaN層中の亀裂を除去するための簡...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• 1) H. Ishikawa, G.-Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L492.
• 2) Y. Nakada, I. Aksenov and H. Okumura: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 827.
• 3) S. Guha and N. A. Bojarczuk: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 415.
• 4) S. Guha and N. A. Bojarczuk: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1487.
• 5) C. A. Tran, A. Osinski, R. F. Karlicek, Jr. and I. Berishev: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 1494.

タイトルに関連する用語 (6件)： 厚み ,  Si ,  亀裂 ,  GaN ,  有機金属化学 ,  気相エピタクシー