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J-GLOBAL ID:200902111814593434   整理番号:98A0527377

0.3ミクロン技術のノードDRAMにおけるCOPによって誘起される欠陥セルの解析

The Analysis of the Defective Cells Induced by COP in a 0.3-micron-technology Node DRAM.
著者 (9件):
資料名:
巻: 37  号: 3B  ページ: 1240-1243  発行年: 1998年03月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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現行のDRAMとして動作する0.3μmプロセスのTEG(テス...
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分類 (2件):
分類
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金属-絶縁体-半導体構造  ,  半導体集積回路 
引用文献 (3件):

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