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J-GLOBAL ID：200902111814593434   整理番号：98A0527377

0.3ミクロン技術のノードDRAMにおけるCOPによって誘起される欠陥セルの解析

The Analysis of the Defective Cells Induced by COP in a 0.3-micron-technology Node DRAM.

著者 (9件)： MURANAKA M (Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  MAKABE K (Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  MIURA M (Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  KATO H (Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  IWAI H (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAWAMURA M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TADAKI Y (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  ISHIHARA M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAERIYAMA T (Texas Instruments Inc., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 3B  ページ： 1240-1243  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現行のDRAMとして動作する0.3μmプロセスのTEG(テス...

シソーラス用語： サブミクロン加工 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (3件)：

• 1) M. Itsumi, H. Akiya, T. Ueki, M. Tomita and M. Yamawaki: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 812
• 2) M. Kato, T. Yoshida, Y. Ikeda and Y. Kitagawara: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 5597
• 3) S. M. Sze: <i>Physics of Semiconductor Devices</i> (John Wiley & Sons Inc., New York, 1981) p. 446.

タイトルに関連する用語 (7件)： ノード ,  DRAM ,  COP ,  誘起 ,  欠陥 ,  セル ,  解析