立方晶GaN/(100)GaAsと六方晶GaN/(111)GaAs基板上におけるGaN層の水素化物気相エピタクシーの比較

文献

J-GLOBAL ID：200902112461505559 整理番号：95A0125268

Comparison of Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN Layers on Cubic GaN/(100)GaAs and Hexagonal GaN/(111)GaAs Substrates.

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巻： 33 号： 12A ページ： 6448-6453 発行年： 1994年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標記のGaN成長条件と結晶性を比較した。700°C以下のGaN...

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半導体薄膜 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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