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J-GLOBAL ID：200902116085995685   整理番号：00A0447639

低温,低活性化エネルギープロセスによるSi基板のゲート酸化

Low-Temperature and Low-Activation-Energy Process for the Gate Oxidation of Si Substrates.

著者 (4件)： UENO T (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  MORIOKA A (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  CHIKAMURA S (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  IWASAKI Y (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 4B  ページ： L327-L329  発行年： 2000年04月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温,低活性化エネルギープロセスによるゲート酸化膜の製造法を...

シソーラス用語： *酸化 ,...

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分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (11件)：

• 1) J. R. Ligenza: J. Appl. Phys. 36 (1965) 2703.
• 2) J. Kraitchman: J. Appl. Phys. 38 (1967) 4323.
• 3) T. Sugano: Thin Solid Films 92 (1982) 19.
• 4) C. Martinet and R. A. B. Devine: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3500.
• 5) T. Koromogawa, T. Fujii, A. Yamashita, Y. Horiike and H. Shindo: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 5028.

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  活性化エネルギー ,  プロセス ,  Si基板 ,  ゲート ,  酸化