走査非線形誘電率顕微鏡によるTbit/inch<sup>2</sup>強誘電体データ蓄積

CHO Y; FUJIMOTO K; HIRANAGA Y; WAGATSUMA Y; ONOE A; TERABE K; KITAMURA K

文献

J-GLOBAL ID：200902116276613715 整理番号：03A0017065

走査非線形誘電率顕微鏡によるTbit/inch²強誘電体データ蓄積

Tbit/inch² ferroelectric data storage based on scanning nonlinear dielectric microscopy.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0017065&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0017065&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 81 号： 23 ページ： 4401-4403 発行年： 2002年12月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

走査非線形誘電率顕微鏡(SNDM)によるデータ蓄積システムを...

,...
,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0017065&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

強誘電体,反強誘電体,強弾性

, , , , ,

前のページに戻る

走査非線形誘電率顕微鏡によるTbit/inch2強誘電体データ蓄積

走査非線形誘電率顕微鏡によるTbit/inch²強誘電体データ蓄積