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J-GLOBAL ID：200902118306108193   整理番号：02A0355768

低温(<300°C)におけるマイクロ波放電O₂プラズマを使ったSiCの高速酸化

Rapid Oxidation of SiC Using Microwave-Discharged O₂ Plasma at Low Temperatures (<300°C).

著者 (4件)： SATOH M (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIMADA H (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA T (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  YANAGIHARA S (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 3A  ページ： L233-L235  発行年： 2002年03月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiCの高速酸化を,300°C以下の低温において,2.4...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (14件)：

• 1) Silicon Carbide, ed. G. L. Harris (INSPEC, London, 1995) EMS Datareviews Series No. 13.
• 2) J. A. Powell, J. B. Petit, J. H. Edgar, I. G. Jenkins, J. G. Matus, W. J. Choyke, L. Clemen, M. Yoganathan, J. W. Yang and P. Pirouz: Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 183.
• 3) J. N. Shenoy, J. A. Cooper, Jr. and M. R. Melloch: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 93.
• 4) K. Eljabaly and A. Reisman: J. Electrochem. Soc. 138 (1991) 1071.
• 5) S. Dzioba, G. Este and H. M. Naguib: J. Electrochem. Soc. 129 (1982) 2537.

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  プラズマ ,  SiC ,  酸化