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J-GLOBAL ID：200902118660873174   整理番号：97A0757105

昇華法によるバルクGaNの結晶成長および物性評価

Sublimation Growth and Characterization of Bulk GaN.

著者 (6件)： 西野克志 (徳島大 工) ,  倉井聡 (徳島大 工) ,  鳥取悟 (徳島大 工) ,  野崎雅章 (徳島大 工) ,  直井美貴 (徳島大 工) ,  酒井士郎 (徳島大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 97  号： 100(LQE97 18-28)  ページ： 31-35  発行年： 1997年06月17日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 昇華法によりバルクGaNの結晶成長を行った。原料パウダ上には...

シソーラス用語： 昇華 ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (10件)：

• AMANO, H. Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 353
• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1705
• NAKAMURA, S. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1687
• ZUBRILOV, A. S. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 533
• KURAMATA, A. Top. Workshop on III-V Nitrides Abstracts (Nagoya, Japan, 1995). 1995

タイトルに関連する用語 (5件)： 昇華 ,  バルク ,  GaN ,  結晶成長 ,  物性評価