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J-GLOBAL ID：200902118975921959   整理番号：98A0247974

Si₂H₆及びGeH₄を原料とする分子ビームエピタクシーによるSi_1-xGe_x/Siヘテロエピタキシャル成長における水素の効果

Hydrogen Effects on Si_1-xGe_x/Si Heteroepitaxial Growth by Si₂H₆- and GeH₄-Source Molecular Beam Epitaxy.

著者 (5件)： OKADA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KONDO M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 12B  ページ： 7665-7668  発行年： 1997年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)及びSi(111)表面へのSi<sub>1-x...

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,...
準シソーラス用語： ガスソースMBE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (18件)：

• 1) H. Jorke and H. J. Herzog: J. Electrochem. Soc. 133 (1986) 998.
• 2) H. Shinoda, M. Kosaka, J. Kojima, H. Ikeda, S. Zaima and Y. Yasuda: Appl. Surf. Sci. 100/101 (1996) 526.
• 3) K. Fujita, S. Fukatsu, H. Yaguchi, T. Igarashi, Y. Shiraki and R. Ito: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L1981.
• 4) H. J. Osten, J. Klatt, G. Lippert, B. Dietrich and E. Bugiel: Phys. Rev. Lett. 69 (1992) 450
• 5) A. Wakahara, K. K. Voag, T. Hasegawa, A. Fujihara and A. Sasaki: J. Cryst. Growth 151 (1995) 52.

タイトルに関連する用語 (8件)： Si2H6 ,  GeH4 ,  原料 ,  分子ビームエピタクシー ,  Si ,  テロ ,  エピタキシャル成長 ,  水素