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J-GLOBAL ID：200902119351959559   整理番号：99A0245635

フラーレン混入の二重層レジスト系を用いたリフトオフ法によるナノメータ・ドットパターンの作製

Fabrication of Nanometer-Order Dot Patterns by Lift-off Using a Fullerene-Incorporated Bilayer Resist System.

著者 (4件)： ISHII T (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  TANAKA H (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  KURAMOCHI E (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  TAMAMURA T (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 12B  ページ： 7202-7204  発行年： 1998年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の二次元ナノオーダ・ドットパターンの新しい作製法を提案し...

シソーラス用語： *フラーレン ,...
準シソーラス用語： リフトオフ法

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (8件)：

• 1) E. Kuramochi, J. Temmyo and T. Tamamura: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 1655
• 2) S. Y. Chou, P. R. Krass and P. J. Renstrom: Appl. Phys. Lett. 67 (19995) 3114
• 3) W. Chen and H. Ahmed: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 1116
• 4) J. Fujita, Y. Ohnishi, Y. Ochiai, E. Nomura and S. Matsui: J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 2570
• 5) T. Ishii, H. Nozawa and T. Tamamura: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1110

タイトルに関連する用語 (8件)： フラーレン ,  混入 ,  二重層 ,  レジスト ,  リフトオフ法 ,  ナノメータ ,  ドットパターン ,  作製