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J-GLOBAL ID：200902120990311827   整理番号：00A0710536

ナノスケールの局所酸化で形成した埋込SiO₂超薄膜上の単結晶Siドットの容量-電圧研究

Capacitance-voltage study of single-crystalline Si dots on ultrathin buried SiO₂ formed by nanometer-scale local oxidation.

著者 (5件)： ISHIKAWA Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KOSUGI M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KUMEZAWA M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TSUCHIYA T (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  TABE M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 369  号： 1/2  ページ： 69-72  発行年： 2000年07月03日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のナノスケールLOCOSプロセスで2nmの埋込SiO<s...

シソーラス用語： *SOI構造 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノスケール ,  局所酸化 ,  埋込 ,  SiO2 ,  超薄膜 ,  単結晶Si ,  ドット ,  研究