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J-GLOBAL ID：200902122434418925   整理番号：02A0490366

埋込みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性

High-Frequency C-V Characteristics of a Buried-Channel MOS Capacitor.

著者 (1件)： 三宅雅保 (福山大 工)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J85-C  号： 6  ページ： 462-469  発行年： 2002年06月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： n形Si基板の表面に薄いp形層をもつ埋込みチャネルMOSキャ...

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,...
準シソーラス用語： 埋込みチャネル

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分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

引用文献 (6件)：

• MIYAKE, M. Subquartermicrometer gate-length p-channel and n-channel MOSFETs with extremely shallow source-drain junctions. IEEE Trans. Electron Devices. 1989, 36, 2, 392
• OKAZAKI, Y. High-performance subquarter-micrometer gate CMOS technology. IEEE Electron Device Lett. 1990, 11, 4, 134
• SIGMON, T. W. MOS threshold shifting by ion implamtation. Solid-State Electron. 1973, 16, 1217
• MACPHERSON, M. R. Threshold shift calculations for ion implanted MOS devices. Solid-State Electron. 1972, 115, 1319
• MIYAKE, M. Capacitance-voltage characteristics of buried-channel MOS capacitors with a structure of subquarter-micron pMOS. IEICE Trans. Electron. C. 1996, 79, 3, 430

タイトルに関連する用語 (4件)： 埋込み ,  チャネル ,  MOSキャパシタ ,  高周波