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J-GLOBAL ID：200902122832218049   整理番号：99A0246523

負の電子親和力に対する化学蒸着の六方晶窒化ほう素薄膜の表面条件

Surface conditioning of chemical vapor deposited hexagonal boron nitride film for negative electron affinity.

著者 (6件)： LOH K P (Japan Sci. and Technol. Corp.(JST), Ibaraki, JPN) ,  SAKAGUCHI I (Japan Sci. and Technol. Corp.(JST), Ibaraki, JPN) ,  GAMO M N (Japan Sci. and Technol. Corp.(JST), Ibaraki, JPN) ,  TAGAWA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGINO T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ANDO T (Japan Sci. and Technol. Corp.(JST), Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 74  号： 1  ページ： 28-30  発行年： 1999年01月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援化学蒸着(CVD)で六方晶窒化ほう素(h-BN)...

シソーラス用語： *プラズマCVD ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子親和力 ,  化学蒸着 ,  六方晶窒化ほう素 ,  薄膜