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J-GLOBAL ID：200902123534650910   整理番号：98A0527422

GaAs(100)基板上の高品質の立方晶GaNの有機金属蒸気エピタクシー成長

Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of High Quality Cubic GaN on GaAs (100) Substrates.

著者 (5件)： WU J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAGUCHI H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ONABE K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIRAKI Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ITO R (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 3B  ページ： 1440-1442  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トリメチルガリウムと1,1-ジメチルヒドラジン蒸気を用いて,...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (24件)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku : Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1417
• 3) K. Das and D. K. Ferry: Solid-State Electron. 19 (1976) 851.
• 4) M. Mizuta, S. Fujieda and Y. Matsumoto: Jpn. J. Appl. Phys. 25 (1986) L945.
• 5) S. Miyoshi, K. Onabe, N. Ohkouchi, H. Yaguchi, R. Ito, S. Fukatsu and Y. Shiraki: J. Cryst. Growth 124 (1992) 439.

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  高品質 ,  立方晶 ,  GaN ,  金属蒸気 ,  エピタクシー成長