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J-GLOBAL ID：200902126001838640   整理番号：01A0343923

シリコンマイクロストリップセンサの放射線損傷研究

Radiation Damage Studies of Silicon Microstrip Sensors.
著者 (9件)：
NAKAYAMA T

NAKAYAMA T について

(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)

Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN について

, 
IKEGAMI Y

IKEGAMI Y について

(High Energy Accelerator Organization (KEK), Ibaraki, JPN)

High Energy Accelerator Organization (KEK), Ibaraki, JPN について

, 
IWATA Y

IWATA Y について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

, 
JOHANSEN L G

JOHANSEN L G について

(Univ. Bergen, Bergen, NOR)

Univ. Bergen, Bergen, NOR について

, 
NAKANO I

NAKANO I について

(Okayama Univ., Okayama, JPN)

Okayama Univ., Okayama, JPN について

, 
RIEDLER P

RIEDLER P について

(CERN, Geneva, CHE)

CERN, Geneva, CHE について

, 
STAPNES S

STAPNES S について

(Univ. Oslo, Oslo, NOR)

Univ. Oslo, Oslo, NOR について

, 
TAKASHIMA R

TAKASHIMA R について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
YAMAMURA K

YAMAMURA K について

(Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN)

Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN について


資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)

IEEE Transactions on Nuclear Science について


巻： 47  号： 6,Pt.1  ページ： 1885-1891  発行年： 2000年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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放射線耐性の種々な型(p-on-n,n-on-n)の大面積(...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*照射損傷

照射損傷 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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放射線抵抗性

放射線抵抗性 について


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分類 (3件)：
分類
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素粒子・核物理実験技術一般 
(BE01010F)

素粒子・核物理実験技術一般 について

,  スペクトル計測及びスペクトロメータ 
(AD08030U)

スペクトル計測及びスペクトロメータ について

,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
(BK16123E)

半導体の放射線による構造と物性の変化 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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放射線損傷

放射線損傷 について

, 
研究

研究 について


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