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J-GLOBAL ID：200902126386569768   整理番号：00A0835559

III族窒化物エピタクシーにおけるアンチサーファクタント 量子ドット形成と転位の終端

Anti-Surfactant in III-Nitride Epitaxy. Quantum Dot Formation and Dislocation Termination.

著者 (3件)： TANAKA S (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TAKEUCHI M (Inst. Physical and Chemical Res. RIKEN, Wako, JPN) ,  AOYAGI Y (Inst. Physical and Chemical Res. RIKEN, Wako, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 8B  ページ： L831-L834  発行年： 2000年08月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ”アンチサーファクタント”を用いたIII族窒化物エピタクシー...

シソーラス用語： *エピタクシー ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (19件)：

• 1) S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, Heidelberg, New York, 1997).
• 2) S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford and D. A. Steigerwald: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1249.
• 3) S. Nakamura: Science 281 (1998) 956.
• 4) C. Sasaoka, H. Sumakawa, A. Kimura, M. Nido, A. Usui and A. Sakai: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 61.
• 5) A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, J. W. Yang, M. A. Khan, D. Kuksenkov and H. Temkin: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2334.

タイトルに関連する用語 (7件)： III族 ,  窒化物 ,  エピタクシー ,  サーファクタント ,  量子ドット ,  転位 ,  終端